GaAs MMIC由于良好的微波性能广泛应用于通讯、卫星、雷达等军用和民用高科技领域。本论文对GaAs MMIC失效机理和快速评价技术进行了研究。通过温度斜坡试验，对器件试验前后的I-V特性的对比分析和微结构的分析表明，欧姆接触退化和栅下沉共同导致了器件的失效。高温下器件I-V特性曲线有上翘现象出现，低温情况下未观察到此现象，这是由于高温下的热电子效应所致。有源元件控制着GaAs MMIC的失效特征，但在早期失效中，无源元件的失效起主要作用，可通过改进工艺和工艺筛选加以剔除。对GaAs MMIC互连出现的烧毁现象的显微分析表明，主要是空气桥金属化层过薄，尤其是搭接处易出现塌陷，金属层加厚后，互连线的烧毁能力有明显改善。针对目前常规评价方法不能适应当前微电子器件快速发展的需求，提出了恒定电应力的温度斜坡法（简称TRM法），动态观察和分析器件退化的全过程，应用此方法给出了实验样品的失效激活能和寿命预测值，并与常规方法进行了比较，得到了比较一致的结果。在计算寿命的过程中，综合考虑了电应力和温度应力，根据失效判据，选取实验过程中相应的温度段，采用能量积分的方法来外推器件的寿命。与常规试验对比证明，本试验方法所需样品少，测试时间短，成本低，效率高，试验结果同常规方法有可比性。通过本实验，已经摸索出了一种微电子器件快速评价的新方法。