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多孔氮化硅陶瓷（Porous Si3N4 ceramics,Si3N4-PC）因其优异的结构、力学和介电等性能,在宽频透波雷达罩、流体过滤器、催化剂载体、分离膜和人体组织构件等方面应用前景广阔。当前Si3N4-PC研究着重于高气孔率和造孔方法,强度和韧性亟待提高。本文以注凝成形结合反应烧结和反应无压烧结制备Si3N4-PC,研究注凝成形体系和工艺、原料Si粉粒度和烧结制度等因素对Si3N4-PC的结构和性能的调控作用。研究表明:（1）EGDGE-TEPA是一种新的性能优良的陶瓷注凝成形材料体系,其所制备的Si粉素坯均匀致密,无气泡、裂纹和翘曲等缺陷;EGDGE添加量为11%时,素坯rb达1.03 g·cm-3,σF达20.56 MPa;（2）对于反应烧结Si3N4-PC,采用1μm、5μm和45μm的单粒度组成的原料Si粉时,随着Si粉粒度的增大,Pa下降,rb、σF和γwof提高,分别可在39～47%、1.73～1.96 g·cm-3、49.16～75.02 MPa和691.89～822.49 J·m-2范围内调控;采用双粒度组成的原料Si粉,5μm&45μm双粒度组成的原料Si粉可产生紧密堆积作用,从而扩大Si3N4-PC的调控范围,其Pa下限降至33%,rb、σF和γwof上限分别提高至2.17 g·cm-3、109.94 MPa和990.74 J·m-2;（3）反应无压烧结制备Si3N4-PC,采用5μm的单粒度组成的Si粉原料时,获得Pa最小值38%、rb最大值2.03 g·cm-3以及σF最大值112.44 MPa;采用5μm&45μm的双粒度组成的Si粉原料时分别获得σF和γwof的最大值119.56 MPa和1167.88J·m-2。反应无压烧结Si3N4-PC的Pa、rb、σF和γwof调控范围分别为38～51%、1.61～2.03g·cm-3、29.55～119.56 MPa和252.01～1167.88 J·m-2;（4）烧结工艺和原料粒度对于Si3N4-PC的物相组成有显著调变作用。反应烧结Si3N4-PC和反应无压烧Si3N4-PC均存在α-Si3N4和β-Si3N4两相;1μm的原料Si粉坯体经反应烧结,生成大量Si2N2O相,在反应无压烧结时,完全生成β-Si3N4相。反应无压烧结可被视为前后相继的反应烧结和无压烧结两个阶段,前者温度低于1400℃,主要生成α-Si3N4相,后者温度达到1650℃,发生α-Si3N4→β-Si3N4的相变,主要生成β-Si3N4相。（5）烧结工艺和原料粒度对Si3N4-PC的显微组织结构起到强烈的控制作用。反应烧结后,1μm原料Si粉坯体形成颗粒结合状结构,气孔尺寸远小于1μm且其尺寸和分布均匀一致;5μm及45μm原料Si粉坯体形成大量Si3N4晶须并相互穿插交织形成网状结构,气孔尺寸约1μm且其尺寸和分布较为均匀一致。反应无压烧结后,1μm原料Si粉的坯体形成短柱状β-Si3N4颗粒相互烧结的架状结构和孔径约1μm的气孔;5μm原料Si粉的坯体形成长柱状β-Si3N4密集穿插胶结的致密结构和少量亚微米气孔;45μm原料Si粉的坯体呈现为细小棒状β-Si3N4与颗粒状Si3N4的混杂结构,并形成了微米到亚微米级尺寸分布较宽的气孔。