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目前CdZnTe晶体是制备X及γ射线探测器最优选的材料。CdZnTe探测器可广泛用于安检、工业探伤、医学诊断、天体X射线望远镜等方面。制备CdZnTe探测器关键的技术之一就是在CdZnTe表面制备出欧姆接触的薄膜电极。目前,大都是采用蒸发镀膜技术在CdZnTe晶体表面制备电极薄膜,膜层与CdZnTe晶体结合不很牢固。通过化学镀膜、溅射镀膜等方法制备接触电极在相关文章中也有过提及,但是通过优化溅射工艺参数得到较好的接触,到目前为止还未曾看到。本论文的主要目的就是要通过优化射频溅射的工艺参数来得到较好的