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ZnO纳米墙的修饰及光电气敏特性研究
【摘 要】
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ZnO NW(纳米墙)具有良好的气敏及光电特性。由于ZnO自身高达M?的基电阻,使得纳米墙与电极之间良好的电接触无法得到保证,导致电子在ZnO NW与电极间的传输不畅。因此,纯ZnO NW气敏和光敏传感器缺乏足够的可靠性和可控性。此外,传统的石墨烯与ZnO的结合,存在石墨烯团聚和堆垛问题,使得石墨烯的比表面积大大减小。为了克服上述问题,本论文采用化学气相沉积法和热还原法对ZnO纳米墙进行石墨烯和A
【机 构】
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西安工业大学
【出 处】
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西安工业大学
【发表日期】
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2020年03期
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