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一维硅纳米材料,如硅纳米线、硅纳米管、硅纳米链等,由于尺寸限制效应,表现出有别于体硅和薄膜硅材料的电学、光学及热学性质,且有较好的工艺兼容性,有望在未来的光电、生物、能源及磁性器件中得到广泛的应用。为适应不同领域不同要求的应用,一维硅纳米材料的形貌控制成为目前此类材料制备的关键技术问题。国际上现有两大类制备技术即自下而上的方法(激光烧蚀法、化学气相沉积法、热蒸发法、模板法等)和自上而下的方法(如金属辅助刻蚀法、电子束平板印刷术,光刻法等)。它们在一定配方和条件下能分别制备出某一种一维硅纳米材料,但都