随着无线通信技术的广泛应用,数据传输速率越来越大,用户所使用的频率越来越高,频带越来越宽,射频宽带电路的设计已经成为研究的热点。本论文研究的重点就是宽带低噪声放大器的设计与实现,论文从宽带低噪声放大器的电路结构设计、放大器的电路板级和芯片级三个方面探讨了宽带低噪声放大器的设计方法和实现方法。 在宽带低噪声放大器电路结构设计方面,结合两款宽带放大器的设计,提出了两种增强宽频带内稳定性的具体方法,其中一款的指标为带宽1GHz到4GHz,噪声系数在2.6dB到2.8dB之间,单级增益在10dB以上；另一款的指标为带宽为3.1GHz-6GHz,增益在12dB以上,S11和S22都在-15dB以下,S12低于-20dB,放大器的噪声系数在1.3-1.7dB之间,并且两款放大器在通带内都无条件稳定,在设计过程中,本文详细的分析了设计时应考虑的各种问题,并且给出了具体的电路设计过程。 在放大器的板级实现的研究里,本文成功地设计了并制作了一款频率从0.8G到3.5GHz,增益在10dB以上,噪声系数在2dB到3dB的宽带低噪声放大器的电路板。在这个设计实例中,加入了电磁仿真,电磁仿真与原理图联合仿真,保证在制版之前得到与实际情况符合的仿真结果。最后总结出了射频低噪声放大器电路板的快速的并且精确的实现方法。 在放大器芯片级实现方面,本文探讨了射频无源器件在芯片上的实现方法,并且列出了一些估算射频无源器件值的方法,同时结合了Jazz SBC35硅锗工艺库给出了在低噪声放大器芯片设计中射频晶体管单元的调用和配置方法;最后结合一个螺旋电感的实例讲述了如何对射频芯片的版图进行电磁建模,从而提高设计的成功率。