【摘 要】
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本文对采用磁控溅射制备β-FeSi2薄膜的工艺进行了详细研究，制备了β-FeSi2薄膜，分析了β-FeSi2薄膜的生长机理。利用XRD、EDAX对样品结构进行了表征，并与采用离子束合成(IBS)方法制备的样品进行了比较，同时分析了退火条件对两种成膜质量的影响。结果表明，在同样的退火温度下，磁控溅射方法成膜的质量要稍逊于用IBS方法制备的薄膜。合适的溅射时间、溅射功率和提高退火温度是改善磁控溅射成膜
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本文对采用磁控溅射制备β-FeSi2薄膜的工艺进行了详细研究，制备了β-FeSi2薄膜，分析了β-FeSi2薄膜的生长机理。
利用XRD、EDAX对样品结构进行了表征，并与采用离子束合成(IBS)方法制备的样品进行了比较，同时分析了退火条件对两种成膜质量的影响。结果表明，在同样的退火温度下，磁控溅射方法成膜的质量要稍逊于用IBS方法制备的薄膜。合适的溅射时间、溅射功率和提高退火温度是改善磁控溅射成膜的关键。
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