【摘 要】
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本文对采用磁控溅射制备β-FeSi2薄膜的工艺进行了详细研究,制备了β-FeSi2薄膜,分析了β-FeSi2薄膜的生长机理。利用XRD、EDAX对样品结构进行了表征,并与采用离子束合成(IBS)方法制备的样品进行了比较,同时分析了退火条件对两种成膜质量的影响。结果表明,在同样的退火温度下,磁控溅射方法成膜的质量要稍逊于用IBS方法制备的薄膜。合适的溅射时间、溅射功率和提高退火温度是改善磁控溅射成膜
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本文对采用磁控溅射制备β-FeSi2薄膜的工艺进行了详细研究,制备了β-FeSi2薄膜,分析了β-FeSi2薄膜的生长机理。
利用XRD、EDAX对样品结构进行了表征,并与采用离子束合成(IBS)方法制备的样品进行了比较,同时分析了退火条件对两种成膜质量的影响。结果表明,在同样的退火温度下,磁控溅射方法成膜的质量要稍逊于用IBS方法制备的薄膜。合适的溅射时间、溅射功率和提高退火温度是改善磁控溅射成膜的关键。
采用椭圆偏振光谱仪和激光拉曼光谱仪分别研究了β-FeSi2薄膜的光学性质。通过比较理论计算的能态密度分布和椭圆偏振吸收光谱的峰值位置,发现β-FeSi2的载流子输运性质主要由Si的3p层电子及Fe的3d层电子决定。拉曼信号的红移现象是由于样品中的应力的存在使得Fe-Si键长减小,从而引起Fe-Si键振子强度减少的结果。
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