1833年英国科学家法拉第发现了硫化银的半导体性质-其电阻随着温度的上升而降低,从此揭开了人们对半导体材料的研究。半导体技术的研究与发展对人类社会产生了深远影响,而具有高稳定性、高可靠性的单光子源对量子通讯技术的发展至关重要。基于分立半导体自组织量子点的单光子源是很好的选择,它具有高亮度、窄线宽、短寿命、易于集成等一系列优点,因此具有重要的科研价值和广泛的应用前景。随着生长工艺的不断发展,以砷化铟/砷化镓(InAs/GaAs)为代表的第二代半导体自组织量子点单光子源的制备已趋于成熟。它属于直接带隙半导体材料,具有较高的发光效率和电子迁移率,可以用来制作高性能的微波、毫米波器件,在卫星通讯、光通讯等领域具有广泛的应用。目前制备InAs/GaAs自组织量子点的方法主要是分子束外延(MBE),通过精确控制生长工艺与生长参数来制备高质量的样品。另一方面在量子点器件的使用过程中,不可避免的会遇到各种环境要求,如高温焊接,位置固定,集成组装等,这将对量子点的性能产生一定的影响,学者对该问题保持着持续的关注和研究。但对样品发生形变后光学性质的研究少之又少,而在量子点器件的加工过程中样品形变是难以避免的,因此研究量子点样品在发生形变后的光学性质具有重要的科研价值。本实验使用的样品是在GaAs衬底上采用MBE生长工艺制备的InAs/GaAs量子点样品。首先,使用原子力显微镜(AFM)对所有的样品进行表面形貌测试,得到样品表面量子点的尺寸与密度分布。接着使用共聚焦拉曼光谱仪测量所有样品室温下的拉曼光谱(Raman谱)和不同温度下(90k-300k)的光致发光光谱(PL谱),发现随着测试温度的升高,样品对应的谱线发生红移且光谱强度降低。另外还研究了激发功率对样品荧光光谱的影响,发现随着激发功率的增加,样品的PL谱线位置发生了微弱的红移,谱线的强度明显增加。最后在测试温度与激发功率合适的情况下,选择光谱信号较好的样品,测量对样品施加微小应变后(0.5%)的荧光光谱图像,并与无应变下样品的光谱进行对比,发现衬底对应的PL谱线峰位发生微弱的蓝移,而浸润层对应的谱线峰位没有变化,但是它们对应的谱线强度增强,量子点对应的谱线发生微弱的蓝移,其发光强度降低。