【摘 要】
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硅太阳电池是卫星上的主电源,世界上已发射的卫星中,大部分是由硅太阳电池系统供电的,它具有低价格、高坚固性、相对小的密度和无毒的优点.随着卫星向小型化、长寿命、高可靠
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硅太阳电池是卫星上的主电源,世界上已发射的卫星中,大部分是由硅太阳电池系统供电的,它具有低价格、高坚固性、相对小的密度和无毒的优点.随着卫星向小型化、长寿命、高可靠性方向发展,硅太阳电池的辐射损伤性能衰退越来越引起航天科技工作者的重视.该文建立在硅太阳电池基本理论基础上,采用分离硅片与盖片的方法,对硅太阳电池玻璃盖片及硅片辐照相关效应进行了分析,研究二者对硅太阳电池电参数的影响.指出一定能量范围之上的质子产生的损伤效应与电子产生的效应类似,因此它们都能穿透电池系统并在材料中产生均匀损伤;另一方面,若质子能量足够低,在一定条件下,将导致盖片较强的屏蔽作用、严重的结损伤及电池中硅片的不均匀损伤密度.在此基础上,讨论了短路电流和少数载流子扩散长度的关系,给出理论上的表达式,从而概括出硅太阳电池辐射损伤的过程.
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