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ITO(Indium Tin Oxide)膜为体心立方铁锰矿型结构的多晶体,为n型半导体薄膜材料,其半导化机理为掺杂(掺锡)和组分缺陷(氧空位)半导化.ITO膜是目前综合性能最优异的透明导电薄膜,具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等光电特性,成为LCD以及其它平面显示器所需透明电极的最佳材料,目前还无其它材料可以取代.另外,ITO膜在交通、宇航、国防、建筑、太阳能等方面有着广泛的应用.论文以氯化铟和氯化锡为前驱物,采用溶胶-凝胶法成功制备了ITO透明导电膜.通过研究发现,制备ITO膜的最佳工艺条件为:溶液浓度3％~4％,甩膜后立即进行热处理,热处理的初始温度在400℃,热处理的保温温度在450℃,热处理时间在15min,铟锡比例在4:1,镀膜次数为9遍.采用该工艺制备的ITO膜的方阻约为310Ω/□,可见光平均透过率约为80％,膜厚约为130nm,电阻率约为4.08×10<'-3>Ω·cm.该法制备的ITO膜为立方In<,2>O<,3>结构的多晶体,Sn<'+4>离子取代In<,2>O<,3>晶格中的In<'+3>离子,薄膜的成份为铟、锡和氧元素.对不同的热处理温度、热处理时间和铟锡比例样品的X射线衍射分析(XRD)表明,热处理温度、热处理时间和铟锡比例对ITO膜的晶格常数、衍射峰强度和晶粒尺寸有影响.晶格常数方面,热处理温度在400℃时ITO膜的晶格常数最大,热处理温度高于或低于400℃时,晶格常数减小;热处理时间小于15min时，晶格常数随着热处理时间的增加迅速下降，热处理时间超过15min后，晶格常数变化不大;铟锡比例小于4：1时，晶格常数随着铟锡比例增大迅速增大，铟锡比例超过4：1后，晶格常数随铟锡比例减小缓慢增大.衍射峰强度方面，热处理温度高于375℃后，ITO膜（400）晶面衍射峰强度较高;随着热处理时间的延长，ITO膜（400）晶面的衍射峰强度线性减小，热处理时间超过15min后，（400）晶面的衍射峰强度低于（222）晶面的衍射峰强度;铟锡比例小于4：1时，ITO膜（400）晶面衍射峰强度小于（222）晶面的衍射峰强度，铟锡比例超过4：1后，ITO膜（400）晶面衍射峰强度最高.晶粒尺寸方面，晶粒尺寸随着热处理温度的升高而增大;热处理时间小于15min时，晶粒尺寸随着热处理时间的增加略有增加，热处理时间超过15min后，晶粒尺寸基本不变;铟锡比例小于4：1时，晶粒尺寸随着铟锡比例的增加而快速增加，铟锡比例大于4：1后，晶粒尺寸随着铟锡比例的增加而缓慢增加，铟锡比例为4：1时，晶粒尺寸最大.研究发现，晶格常数、衍射峰强度和晶粒尺寸三者中，晶格常数对方阻和透光率的影响较大，（400）晶面衍射峰增强、晶粒增大对降低ITO膜方阻有利.以氯化物为前趋物的溶胶-凝胶法制备ITO膜，较有机醇盐为前驱物的溶胶-凝胶法生产成本低，较磁控溅射生产设备要求低，对于该工艺制备ITO膜的研究，具有现实意义.该工艺制备的ITO膜的光电特性以达到了TN-LCD所需透明电极的要求.