本文主要研究了电场影响下量子阱中的激子和杂质态的相关问题。在研究中，同时计入了电子（空穴）与量子阱中各类光学声子的作用。 首先在有效质量近似下，考虑了激子-纵光学（LO）声子相互作用，利用A．Antonelli得到的有效相互作用势，采用变分法计算了外加弱电场下量子阱中的激子结合能和相应的斯塔克移动。以Ⅲ-Ⅴ族GaAs／Al_xGa_1-xAs和Ⅱ-Ⅵ族Zn_1-xCd_xSe／ZnSe化合物组成的量子阱为例，数值计算了激子结合能随阱宽和电场强度的变化规律，还计算了相应的斯塔克能移随电场强度的变化规律。研究结果表明，激子-纵光学声子相互作用通过屏蔽的库仑势减少了激子结合能及其相应的斯塔克能移。这种效应既依赖于阱宽又依赖于材料的极性，Ⅱ-Ⅵ族材料的极性强，斯塔克能移也就大。激子-声子相互作用对结合能的影响是可观测的。 随后，我们又研究了外电场下量子阱中的杂质态-声子相互作用对杂质态结合能及相应斯塔克能移的影响，同时计入量子阱结构中的二类光学声子模（局域体纵光学声子模和界面光学声子模）与杂质态的相互作用，用变分法计算了GaAs／Al_0.3Ga_0.7As量子阱中的杂质态结合能。在计算中考虑量子阱具有无限高势垒，计算了杂质态结合能随阱宽、杂质位置和电场强度的变化规律。数值计算结果表明，当杂质被定域在阱中心时施主杂质态结合能随阱宽的减小单调的增加。外电场破坏了施主杂质态结合能关于阱中心的中心对称性，施主杂质态结合能随电场强度的增加或减少既依赖于杂质位置又依赖于阱宽。杂质态-声子相互作用对杂质态结合能的减小是相当大的，不能被忽略。