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本文制备了以Al/CuO纳米薄膜为反应层的含能半导体桥(简称Al/CuO-SCB),设计了六种不同桥型的Al/CuO-SCB,通过1AlW5min不发火实验、静电放电实验研究了含能半导体桥的安全性能,利用ANSYS有限元分析软件模拟了Al/CuO-SCB在静电放电过程中的温度场分布,对Al/CuO-SCB的静电安全性进行了研究。另外,通过点火实验初步探究了Al/CuO-SCB的非接触式点火性能。主要结论如下：(1)与多晶硅半导体桥的恒流安全性相比较,Al/CuO-SCB的恒流安全性没有降低。另外,不同桥型的Al/CuO-SCB火工品的1AlW5min不发火实验结果和红外显微测温结果表明Al/CuO-SCB恒流安全性会随着桥区质量的增加而增强；当桥区质量相同时,矩形桥型的Al/CuO-SCB恒流安全性优于V角桥型的Al/CuO-SCB。(2)通过ANSYS有限元分析软件对Al/CuO-SCB在500pF、5000Ω、25kV静电放电作用下的温度场分布进行了模拟,模拟结果显示：Al/CuO-SCB表面最高温度随着桥区质量的增加而减小,当桥区质量相同时,矩形桥型的Al/CuO-SCB恒流安全性优于表面温度低于V角桥型的Al/CuO-SCB。(3)静电放电实验结果显示：与多晶硅半导体桥的静电安全性相比较,Al/CuO-SCB的静电安全性没有降低,并且Al/CuO-SCB静电安全性的随着桥区质量的增大而增强；当桥区质量相同时,矩形桥型Al/CuO-SCB抗静电能力强于V角桥型Al/CuO-SCB。(4)对 Al/CuO-SCB在桥/药剂间隙1mm条件下进行点火实验,结果发现无论是电容放电方式还是恒流激励方式,Al/CuO-SCB的点火能力都明显优于多晶硅半导体桥,说明了Al/CuO含能薄膜层增强了含能半导体桥的点火能力。