本论文采用原位热氧化法、常压化学气相沉积法和水热法，制备了二氧化锗纳米线和纳米锥。研究了它们的形貌、晶体结构、发光和Raman特性，提出了可能的生长机理，发现了紫外光的发光现象，讨论了结构和性能的关系，为氧化锗纳米结构的光电性能及其应用研究奠定基础。（1）以Au作催化剂通过在空气中将金属锗加热到550-800℃，在单质锗表面原位大面积生长出了GeO₂纳米线。纳米线的结构为六方相GeO₂，长度达长达30μm．通过改变加热温度，纳米线的直径可在110-170nm范围内调节。提出了可能的生长机理以说明GeO₂纳米线的形成，在GeO₂纳米线的拉曼光谱中观察到了声子限制效应引起的峰的移动。（2）单质锗与氧气反应原位生长的GeO₂纳米线及其发光性质以Au作催化剂通过金属锗与纯氧在600-800℃的氧化反应，在单质锗表面原位大面积生长出了GeO₂纳米线。GeO₂纳米线为六方相单晶结构，其直径在65-340nm范围内，长度长达50μm。研究了反应温度和时间以及金膜的对纳米线直径的影响，提出了可能的生长机理。实现了不同直径GeO₂纳米线的可控合成。发现发光峰位于355nm的强紫外光发光和发光峰位于400和485nm的弱蓝光发光，这两种发光可能分别起源于GeO₂纳米线中氧空位与间隙氧之间的跃迁和氧空位中的电子与锗-氧空穴中心的空穴复合。（3）以Au作催化剂通过金属锗与水蒸气在600-800℃的氧化反应，在单质锗表面原位大面积生长出了GeO₂纳米线。GeO₂纳米线为六方相单晶结构。长度达长达30μm。通过改变加热温度和时间以及喷金时间，纳米线的直径可在110-160 nm范围内调节。纳米线的生长遵循气-液-固生长机理，发现发光峰位于355nm的强紫外光发光和发光峰位于485nm的弱蓝光发光，这两种发光可能分别起源于GeO₂纳米线中氧空位与间隙氧之间的跃迁和氧空位中的电子与锗-氧空穴中心的空穴复合。（4）通过常压化学气相沉积法，在单质硅表面大面积生长出了GeO₂纳米锥。采用扫描电镜、激光拉曼光谱和透射电子显微镜对产物进行了表征分析。结果表明，GeO₂纳米锥为六方相多晶结构，中部直径在270-500nm，长度可达13μm。研究了反应温度和时间对纳米锥直径的影响，提出了可能的生长机理。（5）通过Ge（OH）₂在420和450℃的水热反应制备出了GeO₂纳米线，采用X射线衍射仪、扫描电镜和透射电子显微镜对纳米线进行了表征分析。结果表明，在420℃的制备出了立方相结构的GeO₂纳米线，纳米线的直径在100-190nm范围，长度达3.5μm。在450℃的制备出的纳米线是GeO₂六方相-立方相异质结构，纳米线的直径为30 nm左右，长度1.5μm。提出了可能的水热反应机理。