本文在共沉淀法的基础上,研究了一次掺杂不同浓度的Nd³⁺（0.030—0.065）对Y5V型BaTiO₃基表面型陶瓷电容器的电性能的影响。 本实验采用自己独特的共沉淀法,其原理为: BaCl₂+2NH₄HCO₃→BaCO₃↓+2NH₄Cl+CO₂↑+H₂O 2LnCI₃+6NH₄HCO₃→Ln₂（CO₃）₃+6NH₄Cl+3CO₂↑+3H₂O BaCO₃+TiO₂→BaTiO₃+CO₂ BaCl₂和NH₄HCO₃反应生成BaCO₃,以TiO₂为核,BaCO₃包裹在TiO₂的周围。稀土离子采用一次掺杂法,此法属于异质共沉淀法。生成物在烧成时反应生成钛酸盐。 粉体采用1160℃烧成,由激光粒度分析粉体粒度在2-5μm左右,分布比较集中。材料制成直径约10mm,厚约1mm左右的圆片。通过XRD分析,粉体与瓷片均呈四方相。由于掺杂不同的元素也引起了晶格常数不同的变化,111面及200面有明显的晶格取向。 把瓷片在不同温度不同保温时间下进行烧结后发现1360℃保温3小时为最佳烧结条件。高浓度Nd³⁺的掺杂使陶瓷呈绝缘性,大大增大了BaTiO₃的介电常数ε,Nd³⁺浓度在（0.030—0.055）范围内,本征陶瓷的介电常数基本随着Nd³⁺浓度的升高而增大,居里点T_c和介电损耗tan δ降低,在Nd³⁺浓度为0.055-0.060左右时出现一个拐点。用Ba_1-xNd_xTiO₃与Ba_1-3/2xNd_xTiO₃两种不同配方进行对比,考虑了电价平衡的配方Ba_1-3/2xNd_xTiO₃可以增加材料的抗还原性,所得瓷片的电性能要好于Ba_1-xNd_xTiO₃配方的电性能;通过一次掺杂Zr⁴⁺,发现Zr⁴⁺的加入使居里温度下移,可大幅度提高介电常数,MnCO₃的掺杂对本征瓷片的电性能影响不大。用一次掺杂法,研究了Nd³⁺+Sm³⁺与Nd³⁺+Er³⁺在浓度为0.040—0.050时双掺杂对材料的电性能的影响。在所掺杂浓度范围内,Sm³⁺和Er³⁺的加入使介电常数降低很多,但可以提高居里温度。Sm³⁺和Er³⁺的浓度在25mol%时为最佳掺杂浓度。瓷片经还原再氧化处理之后,单掺杂Nd³⁺的材料由于抗还原性不强,最后的电性能并不能达到要求,添加了Zr⁴⁺之后则有很大改善,其绝缘电阻可达到500MΩ,表明Zr⁴⁺有一定的抗还原性。加入了MnCO₃之后瓷片的绝缘