无论是从理论还是从实验上理解低维电子系统中电子强关联现象已经变成了在凝聚态物理领域具有挑战性课题之一，因为低维电子系统不仅是纳米电子器件的基本结构单元，而且它们显示了内在复杂的强关联现象。电子强关联改变了低维电子系统的低能物理性质。近藤效应和Luttinger液体行为是低维系统中电子强关联引起的非常重要的物理现象。因此，对低维电子系统的量子输运性质的研究受到了相当大的关注。　　另一方面，含时交流电场为人们提供了在没有直流电场的条件下研究纳米体系电子新奇的电子输运现象提供了更加便利的条件，人们对光子隧穿特性在实验上已经进行了大量研究。在纳米电子材料制备的过程中不可避免的引入缺陷，即杂质，它对输运特性有着非常重要的影响，而在实验上其参数不可控，量子点弥补了这一缺点，具有高度可调控性。因此量子点与一维量子线相耦合体系成为研究量子输运特性的很好模型。如果在量子点上加一个交流电场，这样为人们研究光子隧穿和电子的动力学特性提供了极大的方便。　　本文首先研究了量子线内电子间的相互作用和外加交流门电压对量子点与量子线相耦合的系统在近藤区的对态密度的影响。本文运用非平衡格林函数方法中的运动方程技术经过一系列冗长的推导得到了量子点的推迟格林函数表达式，并数值研究了电子间相互作用力和交流电压振幅和频率对系统近藤区态密度的影响，本文发现当量子线内电子间相互作用较弱时，近藤峰和卫星共振峰共存，即光子辅助单沟道近藤(1CK)物理效应;并且，当振幅与频率比值大于1时，卫星峰高于近藤峰，这表明光子引起的隧穿沟道起着主要作用;当电子间相互作用逐渐增强时，出现一系列台阶结构现象，随着电子相互作用继续增强，台阶行为消失，进而转变成近藤和卫星dip，显示出光子辅助的双沟道效应。数据结果显示电子间的相互作用引起的单沟道到双沟道效应的相变。　　接下来，本文研究了量子线内的电子相互作用与交流外场对量子点和Luttinger液体导线耦合系统在近藤区电流和电导的影响。本文运用上述方法推导出了系统的电流公式。这尚属于首次得到交流场下量子点与量子线相耦合体系的电流公式。当量子线内电子间的相互作用非常弱的时候，微分电导中同时存在主近藤峰和卫星峰;与态密度的现象一样，当电子相互作用强度为中等强度的时候，所有的峰消失，并转变为dip，中间没有出现台阶结构。当电子相互作用强度继续增强到极限时，所有的dip就会消失，微分电导呈现了幂律特性，幂率指数是由电子间相互作用的参数决定的。　　本文主要研究了含时场点线耦合系统近藤区的态密度和电导性质，使得人们对外加交流电场的量子点与Luttinger液体耦合系统的近藤区有了深入而全面地认识，也在一定程度上弥补了相关领域的空白。