在本文中，利用真空阴极弧沉积技术分别对ZrN，Zr-Ti-N以及Zr-Si-N三类薄膜进行了制备与研究。　　 利用高纯的Zr靶放电制备了ZrNx薄膜，分析了氮气流量及偏压对薄膜的组织结构、机械性能及电化学性能的影响。研究结果表明，当氮气的流量达到20 sccm以上时能够得到比较理想的ZrN薄膜；利用SZM模型可以解释偏压对薄膜结构的影响；偏压对薄膜性能的影响是由于薄膜结构的变化引起的。经薄膜改性后样品的电化学腐蚀电流比高速钢基体降低了3～4个数量级，同时腐蚀电位也有了较大的提高。　　 将独立的Zr和Ti靶在氮气环境下同时放电可以制备出Zr-Ti-N复合薄膜。结果表明薄膜由ZrN、TiN以及(Zrxn1-x)N多相组成。由于固溶强化、混晶强化以及晶格畸变等因素的共同作用，薄膜的硬度比单纯ZrN或TrN薄膜有较大的提高；该复合薄膜表现出理想的断裂韧性以及与基体的结合效果。　　 在Zr靶放电的同时结合热灯丝离化的SiH4和N2混合气体制备了Zr-Si-N复合薄膜。结果表明，由于非晶相SiNx的存在，薄膜的择优取向、(ZrN)晶粒尺寸、微观结构以及致密度都发生了较大的变化；具有比较理想Si含量薄膜的硬度以及耐磨擦性能相比于ZrN薄膜有了较大的提高。