Cd_1-xZn_xTe（CZT）晶体是迄今制造室温X射线及γ射线探测器最为理想的半导体材料，同时也是外延生长红外探测器材料HgCdTe的最佳衬底材料。而获得大尺寸的CZT单晶则成为目前研究的热点。本文主要研究了籽晶垂直布里奇曼（VB）法生长大尺寸CZT晶体的工艺，并对所生长晶体进行了性能表征。 首先通过对籽晶法生长进行理论分析，选择了〈211〉和〈111〉晶向的籽晶的B面为生长晶面，并进行了籽晶加工。采用同质籽晶并通过Cd补偿以及In掺杂工艺生长了直径60mm，长约140mm单晶体积超过200cm³的Cd_0.9Zn_0.1Te晶锭（CZT1）。为了解决晶体生长中熔体需要过热的问题，实验采用了高熔点的Cd_0.9Zn_0.1Te籽晶生长低熔点Cd_0.96Zn_0.04Te的方法生长了晶锭（CZT2），其单晶体积超过100cm³。 测试了晶锭头部、中部和尾部晶片的X射线双晶摇摆曲线，并结合实际生长条件，分析了造成半峰宽（FWHM）差异的原因。利用近红外透过光谱，无损、方便、快捷的测试了CZT晶片中的Zn含量，找出了Zn在CZT晶体生长过程中的偏析规律，并确定了其分凝因数约为1.30。结果还表明径向成分波动较小，说明生长过程中液/固界面较平整。 分析了晶锭CZT1头部、中部和尾部晶片的红外透过率，发现其光谱形状相似，在波数2000cm^-1～4000cm^-1范围内平直且较高，而从2000cm^-1到500cm^-1随波数的减小透过率均急速下降至零。分析认为这是由于In的掺入造成大量浅能级的复合体，降低了红外透过率造成的。对于晶锭CZT2，其各部位晶片在500cm^-1～4000cm^-1范围内的红外透过率均较高且平直。 对比了10K下晶锭CZT1头部和尾部晶片的PL谱，发现晶锭头部的Cd空位(V_Cd)浓度较大，而晶锭尾部In施主较好的补偿了晶体中的V_Cd。 采用Agilent 4155C测试了经NH₄F/H₂O₂溶液表面钝化后的Au/Cd_0.9Zn_0.1Te欧姆接触的Ⅰ-Ⅴ曲线，计算出In掺杂Cd_0.9Zn_0.1Te晶体的电阻率p达到1.8×10⁹～2.6×10¹⁰Ω·cm，满足制备高性能CZT探测器的要求。