本文综述了半导体TiO₂光催化剂的发展和应用现状,评述了TiO₂光催化剂的光催化机理、催化剂制备及其光催化活性的影响因素方面的研究进展。由于TiO₂的带隙较宽,光吸收波长范围窄,且半导体载流子复合率高等缺陷。为了对其进行改性,本文选用溶胶-凝胶法制备含钛溶胶,并在多孔的硅胶颗粒上浸渍涂敷,掺杂Ag和Ce对其光催化活性进行改性,通过XRD、SEM以及光催化评价等方式对其光催化活性进行研究。对于掺杂了Ag和Ce的光催化剂,发现由于Ag的掺杂,使得催化剂上TiO₂颗粒粒径增加,相变温度降低,在550℃即出现金红石晶相。Ag的掺杂增加了光催化剂的光吸收性能,改善了催化剂表面光生流子的传输和捕获状态。而对于掺杂了Ce的光催化剂,Ce的掺杂抑制了催化剂上TiO₂由锐钛矿向金红石晶相的转变,使相变温度提高;Ce的掺杂有利于催化剂对近紫外光的吸光度、光激发下产生的电子-空穴的有效分离。从光降解能力考查可以看出,掺杂Ag和Ce都能显著提高催化剂光催化性能。实际应用中应选择最佳的金属离子掺杂量、煅烧温度、光照时间及通气量等条件来达到最好的光催化性能。从研究结果来看,所制备的催化剂上的TiO₂粒子粒径都在10-20nm之间,说明所制备的催化剂上的TiO₂为纳米级。而且掺杂了Ag和Ce的光催化剂的光催化活性明显高于P25和未掺杂金属离子的催化剂,光催化剂固载化有效的解决了粉末态催化剂难于分离回收的缺点,能够再利用。