单晶硅片的表面织构化与应用

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目前,晶体硅太阳电池在地面光伏发电中仍占据主导地位。而单晶硅太阳电池凭借光电转换效率高、使用寿命长、成本逐渐降低等优势占有一定的市场份额,工业上单晶硅太阳电池的光电转换效率可以达到20%左右。本文以最新的金钢线切割单晶硅片为研究对象,采用低成本择优的碱性溶液进行表面织构的制备。本文通过金刚线切割的单晶硅片同常规砂浆切割的单晶硅片进行对比,研究了碱性溶液对两种切割工艺单晶硅片表面织构的影响,分析了经表面织构后样品的表面形貌、反射率及其太阳电池的性能。结果表明:金钢线切割的单晶硅片表面损伤层厚度为3-5 μm,低于砂浆工艺生产的单晶硅片(12-17 μm),表明金钢线切割工艺可以有效的降低硅料损耗。在中心波长650 nm处,金钢线切割工艺获得的原始硅片表面反射率高达42.36%,而砂浆工艺获得的原始硅片仅为30.63%。利用碱性溶液对两种工艺获得的原始硅片进行表面织构能有效地降低硅片表面反射率。表面织构后,金刚线切割工艺的单晶硅片的表面反射率仅为10.80%,明显低于砂浆切割工艺的硅片的反射率(11.87%)。为了对比两种工艺表面织构后的太阳电池效率性能,对同一时间段内两种工艺表面织构后的太阳电池片光电转换效率进行统计对比,发现金钢线切割工艺表面织构后的太阳电池片平均光电转换效率达到了19.60%,而砂浆切割工艺表面织构后制造的太阳电池片平均效率为19.46%,利用金钢线切割工艺表面织构后的太阳电池光电效率可以提升0.14%。
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