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目前,电力电子设备由于智能化电力系统以及能源互联网的发展而引起了人们大量的关注。电力电子设备的发展受到功率开关器件的影响,因此功率开关器件的存在至关重要。目前功率开关器件基本是基于硅的半导体及其衍生物,如MOSFET和IGBT等。但是,作为新一代宽禁带半导体器件,碳化硅(SiC)由于其在高压大功率应用领域的优良特性而受到了广泛关注。在充电桩逆变器等电力设备中使用SiC MOSFET能够显著提高功率密度和设备的效率,本文主要针对SiC MOSFET的并联均流电路进行了研究。本文首先介绍了 SiC MOSFET的器件结构和工作原理,同时利用功率分析仪对CREE公司SiC MOSFET C2M0280120D进行静态特性测量,之后对其进行特性建模,给出了SiC MOSFET C2M0280120D相应模型参数,并将模型的仿真结果和实验测量的结果进行对比,二者基本吻合。其次,分析了传统Si功率MOSFET驱动电路和IGBT驱动电路与SiC MOSFET驱动电路的不同,并根据SiC MOSFET的开关特性设计了专用的驱动电路,其中详细的阐述了驱动电压、电阻的选取以及驱动电流和驱动功率的具体计算,并对驱动信号进行信号隔离以及预处理。然后在并联均流方案的设计中,通过分析器件分散性、功率回路参数、驱动回路参数、温度等影响因素,使用LTSpice软件进行仿真,提出了栅极电阻补偿联合耦合电感均流方法。传统的耦合电感方法将电流不平衡度从10.9%降低到2.58%,使用本方法则降低到].47%,表明栅极补偿联合耦合电感的均流效果良好。搭建双脉冲测试平台验证不同阻值驱动电路对于驱动单管SiC MOSFET的性能。然后进行并联均流实验,通过栅极电阻补偿联合耦合电感的均流方法将器件分散性、漏极电感、驱动电阻、驱动电压以及栅极电感的电流不平衡度分别从10.12%、14.86%、10.97%、19.2%和16.16%降低到2%、3.89%、2.87、3.15%和3.34%以内,验证了栅极电阻补偿联合耦合电感有良好的均流性。与现有的串联电阻、耦合电感均流方法分析对比,本方法接近实际应用,均流效果良好,更加可靠稳定。