印制电路板（PCB）生产过程中不可避免地将带来大量的含铜浓度约为80^-130g L^-1的酸性蚀刻废液。目前，企业多采用化学氧化法和电化学法再生处理这类蚀刻废液，这两种方法虽然能够快速地去除蚀刻废液中的Cu⁺，恢复蚀刻废液的蚀刻性能，但存在着化学法处理后蚀刻液体积不断增大、电化学工艺参数控制条件苛刻，反应过程中阳极析氯、阴极析氢等问题。因此，继续开展酸性氯化铜蚀刻废液再生处理试验研究具有重要的理论价值和实际意义。本文分别采取溶剂萃取法和反萃相预分散中空纤维支撑液膜（HFSLM）技术，对试验室模拟的酸性氯化铜蚀刻废液进行了再生处理试验研究，并对再生液进行了模拟蚀刻试验，主要试验结果如下：（1）溶剂萃取法中选取TBP（磷酸三丁酯）/磺化煤油为萃取剂，H₂O₂为反萃取剂，从酸性氯化铜蚀刻废液中选择性地萃取Cu⁺，分别探讨了TBP含量、油水比（O/A）、萃取时间、HCl浓度、Cl-浓度等对Cu⁺萃取效率的影响，以及H₂O₂浓度、油水比（O/A）、反萃取时间等对反萃取效率的影响。此外，采用红外光谱分析、紫外吸收光谱分析、化学浓度分析、斜率法以及XRD表征等方法对萃取、反萃取萃合物的组分进行了分析。试验结果表明：①TBP/磺化煤油从酸性氯化铜蚀刻废液中萃取Cu⁺时的最佳萃取相组成为70%TBP⁺30%磺化煤油，油水比（O/A）为1:1，HCl浓度不低于2mol L^-1，达到萃取平衡的时间为2min，而萃取效率与Cl-浓度无关；②最佳油水比（O/A）为5:4， H₂O₂浓度为4%，达到反萃平衡的时间为4min；③酸性氯化铜蚀刻废液中的Cu⁺以二溶剂化合物HCuCl₂·2TBP的形式被TBP萃取，反萃取试验中得到的水相为CuCl₂溶液。（2） HFSLM以聚醚砜中空纤维膜为支撑体，采用TBP/磺化煤/H₂O₂作为传质体系，考察了有机相浓度、水相流速、反萃取剂浓度等工艺参数对HFSLM传质通量的影响，结果表明：传质通量随H₂O₂浓度的增加不断增大，而随TBP含量和水相流速的增大呈先增大后减小的趋势，确定最佳操作条件为萃取剂TBP含量为5%、水相流体流速为40.16/40.05mL min^-1、反萃取剂H₂O₂浓度为6%。（3）分析了Cu⁺在HFSLM体系中的传质过程，构建了HFSLM传质模型InC_c/C_p=nA/V_f.P_e.t，并用试验数据计算出Cu⁺在HFSLM中总传质系数=3.14×10-5m·s^-1。（4）分别采用酸性氯化铜蚀刻液、溶剂萃取和HFSLM再生处理得到的再生液进行蚀刻试验，结果表明三种蚀刻液的蚀刻速率极其相近。证明了溶剂萃取法和HFSLM均能够有效地恢复酸性氯化铜蚀刻废液的蚀刻性能。试验结果表明以TBP/磺化煤油为萃取剂的溶剂萃取法，能有效地提取酸性氯化铜蚀刻废液中的Cu⁺；以H₂O₂作为反萃剂一方面能高效再生萃取剂，另一方面反萃取得到的产物为CuCl₂能再利用到蚀刻废液再生液的调节中，真正实现了“零”排放与循环利用。HFSLM大大提高了支撑液膜的稳定性，萃取与反萃取过程同时完成，操作简单方便，对酸性氯化铜蚀刻废液中的Cu⁺具有极高的选择性萃取作用。