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Ag纳米线具有独特的光学和电学性质,在非线性光学,表面增强拉曼散射和等离子体光学方面存在潜在应用,受到人们的广泛关注。本文研究了Ag纳米线的制备工艺,并研究了Ag纳米线与ZnO量子点的局域表面等离子体共振耦合效应,具体工作如下：利用多元醇化学还原法制备了均匀的Ag纳米线,且平均直径为180nm,长度范围为3-35μm。制备的Ag纳米线具有五角孪晶十面体结构,侧面是由五个(100)面束缚所形成,并且沿着<110>方向生长。Ag纳米线的两个局域表面等离子体共振吸收峰位于338nm和385nm处,属于Ag纳米线的横向等离子模,且吸收峰位随着Ag纳米线尺寸的增加而发生红移现象。将Ag纳米线与ZnO量子点混合,旋涂在硅片上,首次制备了Ag纳米线-ZnO量子点复合结构,观察到ZnO量子点紫外荧光增强。其中位于345nm和383nm的荧光分别增强30倍和12倍,这与Ag纳米线和ZnO量子点混合体系的局域表面等离子体共振耦合吸收峰位相一致,说明该体系存在两种共振耦合模式。当Ag纳米线与ZnO量子点混合后,Ag纳米线的338nm的吸收峰红移到了343nm,并且强度明显增强,超过了385nm处吸收峰的强度。而385nm处的吸收峰红移不明显。同时在文中还研究了Ag纳米线与ZnO薄之间的局域表面等离子体共振耦合效应。ZnO薄膜采用溶胶凝胶法制备,其紫外峰位于377nm。将Ag纳米线溶液旋涂在ZnO薄膜上,观察到ZnO薄膜在378nm处荧光增强了2倍,说明Ag纳米线与ZnO薄膜之间的共振耦合效应不明显。研究结果表明,Ag纳米线-ZnO量子点的结合,实现了紫外荧光显著增强,其结构可用于发光二极管、LED等光子器件,同时对将来开发ZnO纳米发光器件提供了新途径。