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纳米金刚石(Nano-crystalline Diamond,NCD)薄膜原位掺硼后具有p型半导体的特性,可以作为大功率半导体器件的p型层应用到半导体领域。本文主要采用微波等离子体化学气相沉积法沉积NCD薄膜本征层,然后在该本征层上进行掺硼实验,并对其中的内在规律和微观机理进行探讨,实验结果将为纳米金刚石基半导体器件的制作提供实验指导。在NCD薄膜本征层的制备过程中发现,较高甲烷浓度(8%)时等离子体中的二聚体C_2吸附于衬底表面形核,产生较多的活性位和二次形核位点,既可以提高金刚石的形核密度,又可