研究工作的目的是发展在微米尺度控制硅表面化学的方法,主要开展了两方面的工作:一、系统地研究了硅和二氧化硅在氟化铵水溶液中的腐蚀规律;二、在微米尺度的硅表面引入了通过稳固的Si-C键链接的有不同末端官能团的有机单层膜.在半导体工业的光刻技术和原子力显微技术的基础上建立了一套能够精确测量微米尺度的硅和二氧化硅腐蚀速率的方法,并用这种方法系统地研究了硅单晶两个重要低指数(100)和(111)晶面上的硅和热氧化二氧化硅在氟化铵水溶液(w=40﹪)中的腐蚀规律.应用半导体工业中使用非常成熟的光刻胶掩模版技术和最近发展起来的紫外光激发烯烃和氢终止硅表面的Si-H反应的方法发展了一套在硅表面制备高质量化学图形的方法;并利用抗体蛋白在有不同化学性质的表面吸附性能的差异和利用寡聚核苷酸与化学性质不同的表面形成化学键能力的差异对微区修饰硅表面的性质进行了表征.这部分研究结果总结归纳如下:1.用两种有机单层膜在不同微区分别修饰了硅表面,并对修饰的表面化学性质进行了直接的表征.2.比较了几种表面吸附抗体蛋白的能力,发现热氧化二氧化硅表面相对自然二氧化硅表面以及有机膜修饰的表面对抗体蛋白有很强的吸附;对吸附在热氧化二氧化硅表面的蛋白用免疫反应进行生物活性表征的结果表明吸附在二氧化硅表面的蛋白有特异识别能力.3、我们建立的方法可以高分辨地、高保真地把光刻胶模版的图形转换成化学图形的形式转移到硅表面上.4、我们建立起来化学修饰硅表面的方法与文献中用物理掩模版以及使用扫描探针技术在硅表面生成化学图形的方法相比,我们的方法与半导体工业的加工过程有很好的兼容性.