渐变折射率分别限制多量子阱半导体激光器的分子束外延生长

来源 :长春光学精密机械学院 长春理工大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bohaiyifan
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分子束外延技术作为一种半导体超薄层生长技术,在制作半导体激光器方面得到了得天独厚的应用.该文在大量实验工作的基础上,优化了生长条件,提高了MBE系统的纯净度,提高了生长材料的晶格质量,改善了光荧光、掺杂特性.该征GaAs的迁移率达到379cm<2>/v-s,剩余杂质(P型)的浓度达到了5.42×10<14>/cm<,3> .X-射线双晶衍射结果GaAs的半峰宽达到了9.68″,Al<,0.3>Ga<,0.7>As的衍射半峰宽达到了11.86″,Al<,0.6>Ga<,0.4>As的衍射半峰宽达到了20.53″,光荧光的相对强度都比较强,GaAs的PL谱半峰宽达到1.7mev,Al<,0/07>Ga<,0/93>As的PL半峰宽为3.6mev,多量子阱的PL半峰宽也都在5mev左右.还通过优化设计渐变折射率分别限制多量子阱激光器结构,初步对多量子阱激光器的生长做出了尝试.
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