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本论文采用了金属分别做为半反射电极和全反射电极的双金属电极结构制备了高性能的有机微腔电致发光器件,电极都是由金属Al构成,具体工作包含以下几个方面:(1)在底发光OLED中,首先优化半透明阳极Al的厚度,使其光学和电学性能获得最佳协调性,半反射电极厚度为16nm时器件的性能最优,电流效率最大值为4.03cd/A。由于在半透明的金属电极出光侧加上耦合层会改善发光性能,基于此我们研究了耦合层材料的厚度和折射指数与器件性能之间的关系。本论文选用Alq3和BCP作为出光耦合层研究其对微腔性能的影响。实验中获得:50nm厚度的BCP作为出光耦合层时可使电极在530nm处的透光率从45%提高到56%,相应发光器件的电流效率也达到5.49cd/A,比ITO标准器件的效率(5.0cd/A)提高了10%。并且当观察角度从0o增加到60o时,EL谱谱峰移动的距离也从28nm减小到了12nm,大幅度减弱了微腔器件角度依赖的特性。(2)在顶发光OLED中,由于作为顶电极的薄金属Al极易在空气中氧化,因此器件在蒸镀完成之后需要在氮气环境中进行封装,本节采用传统的盖玻片封装方式对器件进行封装处理。另外,选用折射指数较高的有机材料BCP作为光输出耦合层蒸镀在器件阴极的上方,有效地改善了阴极的透光率,使器件的效率提高了12%,达到6.51cd/A。由于微腔效应强度的减弱,器件的角度依赖问题也得到了显著地改善。(3)研究了MoO3和V2O5作为空穴注入层时对双Al电极结构的倒置发光器件的修饰作用,器件结构为glass/Al/LiF/Alq3/NPB/MoO3 or V2O5/Al。结果表明V2O5可以更有效地提高阳极Al的空穴注入能力,器件的开启电压均有所下降:底发光倒置OLED的开启电压从4.0V降到3.0V,顶发光倒置OLED的开启电压从3.8V降低到3.2V;效率方面,也分别从3.70cd/A提高到3.85cd/A,6.05cd/A提高到6.18cd/A。