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该文首先介绍了采用离子注入技术,在单晶硅中注入C<+>,经过高温退火制备了硅基纳米β-SiC薄膜,并采用傅里叶红外吸收谱,X射线衍射谱,横断面透射电镜,高分辨率透射电镜,X射线光电子能谱等分析、观察手段,研究了它的微结构.其次介绍了对经电化学腐蚀后的注C<+>样品形成的多孔纳米β-SiC薄膜的电致发光的研究.该结构具有良好的Ⅰ-Ⅴ特性,并在正向偏压下能发射包含蓝光成分的黄绿色发光,且其发光具有稳定性.文中讨论了该结构的发光机理.