光催化技术因其高效和广泛适用性,在降解环境中的污染物和有毒化学成分方面有很大的潜能。卤氧化铋（BiOX,X=F,Cl,Br,I）是一类在紫外光或可见光下具有催化活性的重要半导体。目前,许多方法已经成功应用于制备卤氧化铋低维纳米材料,并得到了许多不同形貌的卤氧化铋材料。为了研究低维纳米材料的光催化性质,探索出一种简便制备卤氧化铋低维纳米材料的方法是一项有意义的工作。静电纺丝技术是一种在制备纳米尺寸的材料时非常简单且经济的合成技术。采用静电纺丝法制备卤氧化铋低维纳米材料,并研究其光催化性质,是具有重要意义和发展前景的课题。本论文中采用静电纺丝技术结合不同的煅烧升温速率制备了纳米尺寸的BiOBr和BiOI,并且采用用静电纺丝法与双坩埚技术相结合,制备了纳米尺寸的BiOF、BiOCl、BiOBr和Bi₅O₇I。对样品进行XRD、SEM、EDS、紫外-可见吸收光谱和比表面积等测试,并以RhB为降解目标,研究了样品的光催化性质。结果表明,同种方法制备的卤氧化铋材料中,BiOBr具有最高的光催化性能,且材料的形貌会对其禁带宽度和光催化性能产生影响,同时提出了可能的光催化机理。本文得到了一些有意义的结论,这些新的结果为卤氧化铋低维纳米材料未来的性质研究打下了坚实的基础。