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多晶CeO2基电解质材料的总电导率由晶粒电导率和晶界电导率共同组成。在高纯度样品中,晶界附近氧空位的消耗是主要的,较低浓度的Si O2杂质对晶界传导也是十分不利的。在CeO2基电解质中添加少量LSGM相能有效抑制电子电导,同时引入大量相界面,且对杂质Si O2具有一定的清除作用,因此能大大改善体系的导电性能。在CeO2基电解质中掺杂金属氧化物SrO和MgO可改善SiO2的不利影响,达到晶界改善的作用。制备CeO2基-LSGM/LSG/LGM复合体系,旨在明确LSGM中A/B位对高纯和非纯CeO2基电