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以BST为代表的钙钛矿结构(ABO3)的多元氧化物是当今最热门的电子材料之一。作为微波及射频电路中无源器件的关键材料,它集铁电、介电等多种功能性能与一身。将这种功能材料与以GaN为代表的第三代半导体材料通过固态薄膜的形式集成,并利用这种集成的一体化及耦合特性,可以实现有源-无源的多功能器件集成化和模块化,增强系统功能,提高集成度。然而,由于两者在生长机制及晶体结构上存在巨大的差异,不易实现高质量的外延生长;同时,由于钙钛矿氧化物材料的各向异性,在GaN衬底上实现氧化物薄膜的取向控制尤为重要。因此,探