【摘 要】
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SONOS(Si/SiO2/Si3N4/SiO2/poly-Si)型存储器具有写入/擦除速度快、功耗低、数据保持时间长以及与CMOS工艺兼容等优点,被广泛应用于手机、电脑和相机等电子产品领域。研究发现使用选择与沟道导带底势能高度匹配的高-k材料做电荷俘获层取代SONOS型器件中的Si3N4,能提高器件的保持特性。Al2O3热稳定性好、介电常数高,常被用来做隧穿层和阻挡层,但它与p-Si界面形成的高
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技术领域,包括主机、控制电路和计算机三部分组成,主机包括由棱镜。敏感膜敏感芯片、半导
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