【摘 要】
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稀磁半导体量子阱和超晶格具有很多独特的光学和磁性质.该文报道用分子束外延(MBE)技术生长的Ⅱ-Ⅵ族半导体超晶格样品(ZnTe/ZnMnTe,CdTe/CdMnTe)的光调制反射谱、光致发光谱
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稀磁半导体量子阱和超晶格具有很多独特的光学和磁性质.该文报道用分子束外延(MBE)技术生长的Ⅱ-Ⅵ族半导体超晶格样品(ZnTe/Zn<,1-x>Mn<,x>Te,CdTe/Cd<,1-x>Mn<,x>Te)的光调制反射谱、光致发光谱和拉曼谱的实验和理论分析的结果.在光调制反射谱和光致发光谱的实验中观测到重轻穴的激子跃迁结构.并在理论上着重讨论了晶格失配导致的应力效应,对子能级结构进行了理论计算,实验结果与理论计算符合较好.同时讨论导带偏移Q<,c>和平均晶格常数取值对计算结果的影响,并研究Mn的组分值x对轻、重空穴激子能级位置的影响.在拉曼射实验结果中不仅观测到高阶声子(6阶),还观测到垒中和阱垒间光学声子的组合模.此外,用交变梯度磁强计对热壁和MBE方法生长的稀磁半导体(Zn<,1-x>Mn<,x>Te)薄膜和超晶格样品进行了磁性质的研究.对其室温下的磁化率进行了分析,为探索在稀磁半导体中实现铁磁性打下了基础.
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