铌酸锂晶体（LiNbO₃，简称LN）是一种非常重要的多功能晶体，具有优良的压电、非线性光学、电光和光折变等性能。在1965年苏联的S A Fedulov和美国的AA Ballman成功采用提拉法生长出了铌酸锂晶体之后，人们对铌酸锂晶体进行了大量的研究。近半个世纪以来，人们对铌酸锂晶体的生长表征及其应用作了广泛深入的研究。基于铌酸锂的多种性质，它在非线性光学、光电子技术、通信领域和光存储领域获得广泛的应用。1968年Chen等人在铌酸锂晶体中实现体全息存储后，该晶体在光学全息存储领域中得到了广泛的研究和应用。目前提出的长期保存全息图的固定方法很多，主要有热固定法、电固定法、和光固定法。其中光固定法可以记录稳定、可长期存储、特别是反复读取无损伤的全息图，因此光固定法成为目前研究的热点，铌酸锂晶体更加备受关注。光固定法首先必须了解铌酸锂晶体在光照作用下电子迁移的微观情况，建立相应的电子迁移模型。目前较多的研究集中在掺杂铌酸锂晶体上，而对纯的铌酸锂晶体的电子迁移少有研究，相应的理论模型也未建立。针对此问题，本文在铌酸锂晶体的电子迁移论述的基础上，对掺铁铌酸锂晶体的光致吸收以及纯铌酸锂晶体的暗电导进行研究。主要包括以下几个方面的工作：一．对铌酸锂晶体的各种缺陷模型进行分析，并选择了锂空位模型作为本文研究的基础。二．对铌酸锂晶体的光电现象和相应的微观电子迁移模型进行了论述，包括典型的掺Fe铌酸锂晶体以及纯的铌酸锂晶体。铌酸锂晶体的光电现象主要包括：光吸收、光致吸收、光电导、暗电导，本文都对其进行了论述，重点集中在光致吸收和暗电导。三．实验研究：对文献中掺铁铌酸锂晶体的光致吸收与光强、掺杂关系进行了分析，并通过实验对纯铌酸锂晶体的暗电导进行了研究。纯铌酸锂晶体样品包括同成分比、化学计量比及非同成分比的，得出了暗电导与组分比的关系。另外还对文献中有关纯铌酸锂晶体暗电导与温度的关系进行了分析。四．结合前面的理论分析和实验结果，将铌酸锂晶体的光电现象和电子迁移模型联系起来分析，最后得出结论。在纯铌酸锂晶体中双极化子和极化子之间的电子迁移与光电现象均与组分比、光强等有关系。在掺铁的铌酸锂晶体中，掺杂的浓度也是一个影响因素之一。