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近年来，硅基单片微波集成电路（MMIC）设计已经变成一个非常重要研究课题。对硅基有源器件，如MOSFET’s和BJT’s等，通过改进工艺技术，可以得到很高的特征频率fT和振荡频率fmax性能，能够满足射频／微波应用的要求。然而，由于低阻硅衬底的高频损耗，在射频／微波应用中，要在低阻硅衬底上实现高Q值的无源器件，尤其是电感，是相当困难的。 为了提高硅基无源器件的射频／微波特性，已经提出了许多方法，其中包括：使用高电阻率（≥3000Ω.cm）的硅衬底来获得与低损耗的半绝缘GaAs材料相似的性能，但在高阻硅衬底上采用现有的CMOS工艺不能实现有源电路；将无源器件下的低阻硅衬底腐蚀成小槽，可以消除低阻硅衬底带来的不良影响，但同时腐蚀增加了工艺成本，而且加工难度较大；使用离子注入技术将低阻硅的晶格错位形成一高阻层，可以减少低阻硅衬底的损耗，但其工艺非常复杂；还有诸如插入一层厚介质膜，如多层膜、聚酰亚胺（Polyimide）以及二氧化硅膜等高阻材料。以上方法基本是集中在改善低阻硅衬底的传导和降低损耗，来改善射频／微波无源器件的性能，但这些方法均存在许多不同程度的缺陷。 本论文主要的研究内容分为两个方面：其一是厚度可控的与IC工艺兼容的多孔硅膜的形成技术研究；其二是研究在多孔硅／氧化多孔硅介质膜上制备无源器件的微波低损耗特性之可行性。 已经取得的研究成果有： A、论文采用氧化多孔硅作为单片微波集成电路中无源器件低损耗、低介电常数的介质膜，研究开发了厚度达500μm多孔硅的制备技术。 B、论文得到了多孔硅形成速度的定量表达式，在实验误差的范围里，理论值与实验值吻合得很好。 C、论文首次提出使用过氧化氢后处理多孔硅厚膜工艺。在乙醇、氢氟酸、过氧化氢溶液中，多孔硅样片做阴极施加电流密度为10mA／cm2，实验获得了稳定性好、表面光滑及机械特性良好的多孔硅厚膜。XRD光谱显示在2口=32.620出现了一个小峰，揭示了经过过氧化氢后处理后多孔硅表面形成了一层二氧化硅（l 10刀）脱，从而提高了多孔硅厚膜的稳定性。 D、论文成功地使用阳极电化学腐蚀制备了直径为2英寸、厚度达500四的体多孔硅厚膜，其电阻率达10，只cm。SEM形貌图显示多孔硅厚膜表面的光滑度良好、微间距仅为约20nm。 E、论文研究了以在低阻硅（0 .01只cn:）L生长的多孔硅/氧化多孔硅厚膜为衬底制备的共平面波导（CPW）的微波插入损耗特性，其介质膜的厚度分别是10脚和70脚。实验测量了制备在氧化多孔硅上的共平面波导的微波特性，证明氧化多孔硅介质膜极大地改善了CPW的微波传输特性;得到了CPW的插入损耗为7dB/。m。初步研究了制备于多孔硅介质膜<sub>L级联式MEMS相移器的传输特性。在硅基高频IC应用中，多孔硅/氧化多孔硅厚膜将是一种非常有吸引力的介质膜。