太赫兹（THz）波由于其处于电子学与光子学研究范围之间的过渡区域而独有的特性,在成像、检测、通信等领域展现出了巨大的应用前景与潜力。In Al As/In Ga As高电子迁移率晶体管（HEMT）因为其独特的材料特性,具有高增益、噪声低、工作频率高的优点,成为了THz低噪声放大器及电路领域最具应用前景的器件之一。目前国际上对于InP基HEMT的研究主要集中在电极欧姆接触优化与复合沟道上,但为了提高器件的截止频率,栅长已深入到了纳米量级,导致短沟道效应变得不可忽略。为解决Si基互补金属氧化物半导体（CMOS）短沟道效应带来的器件性能下降的问题,利用侧栅提供的额外栅控能力来工作的三维鳍式栅（Fin）结构被提出。因此,本文围绕短沟道效应的产生机理,对采用Fin结构的InP基FinFET器件的结构与特性进行了研究。考虑到双Siδ-掺杂器件特有的沟道载流子分布,其相比单掺杂器件具有输出功率更高、频率性能更优的优势,并且由于双Siδ-掺杂器件可以更好的发挥侧栅的栅控能力,所以本文采用Fin结构结合双Siδ-掺杂器件结构来抑制器件的短沟道效应,改善跨导峰值下降、阈值电压漂移和亚阈值摆幅等问题,同时利用更高的跨导提升来弱化对频率性能的影响。本文首先利用Silvaco TCAD平台对三维常规InP基HEMT和FinFET器件进行建模,分析其出现短沟道效应的机理是栅下势场纵向扩展减小导致的栅控能力的减弱。然后对InP基FinFET器件在不同Fin宽下的直流特性和频率特性进行仿真,结果说明Fin结构提供的横向电场对器件的短沟道效应有很好的改善效果,且器件的截止频率随着Fin宽减小有一定的下降。相较于常规器件,在Fin宽为200nm时阈值电压绝对值降低65%,跨导峰值增加42.6%,亚阈值摆幅下降35%。在Fin宽为500nm时FinFET的截止频率相比于常规器件下降了14.2%;在Fin宽为200nm时下降16.2%。同时考虑到栅长对器件频率性能的影响,研究了FinFET器件在不同栅长下的频率特性,结果表明截止频率随栅长缩短的提升幅度由于侧栅带来的额外寄生电容相比于常规器件变小,在栅长为20nm时,FinFET器件的截止频率相较常规器件下降20.1%。为充分利用侧栅的栅控能力,接下来对不同Fin宽时的双掺杂InP基FinFET器件的交直流特性进行了仿真研究,在Fin宽为100nm时,阈值电压绝对值降低74%,跨导峰值提升143%,漏致势垒降低效应的值降低93%,亚阈值摆幅降低了62.5%,仿真结果表明Fin结构对常规双掺杂InP基HEMT器件的短沟道有着很好的改善效果。而且由于侧栅对沟道下方载流子的控制产生了更大的跨导提升,使得双掺杂FinFET器件的频率特性相较于常规双掺杂HEMT器件在栅长为50nm时仅有5.2%的下降。最后考虑到栅下绝缘层厚度对器件栅电容的影响,对不同绝缘层厚度下器件的交直流特性进行了分析,结果发现:随着绝缘层厚度减小,器件的阈值电压与跨导峰值都有一定的提升,但由于绝缘层厚度减小主要影响侧栅的栅控所以幅值很小,器件的频率特性随绝缘层厚度几乎没有改变。