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AlN陶瓷热导率高且综合性能优异,可作为半导体基板材料使用,并且在诸多方面拥有极大的应用前景。但AlN难以烧结致密,高致密度是获得优异性能的前提。为了获得高热导率的AlN陶瓷,本文在前人研究的基础上,选用稀土元素钇和铈的氧化物Y2O3、Ce O2作为烧结助剂进行热压烧结研究,以期获得高热导率的AlN陶瓷。本文首先以掺杂5 wt%Y2O3的AlN粉作为原料研究了热压烧结工艺对于AlN陶瓷性能的影响。结果表明热压烧结的相关工艺参数设置对AlN陶瓷的性能有重要影响,相比较于真空烧结,在氮气氛围中烧结的样品性能更高,并且在烧结前对AlN粉料进行预压能够有效提升AlN陶瓷的致密度,烧结温度过高也会导致AlN陶瓷的致密度下降,本实验中在1800℃的烧结温度下得到的AlN陶瓷致密度最高。致密度并不是影响热导率的唯一因素,同时受物相成分、显微结构等其他因素影响。本实验中通过进行预压使AlN的相对密度由96.97%上升至98.67%,热导率由153.0W·m-1·K-1上升至166.0 W·m-1·K-1。在上述研究的基础上,为了进一步提升AlN陶瓷的热导率,加入Ce O2与Y2O3组成二元烧结助剂体系进行热压烧结研究。结果表明Ce O2的加入能够提升AlN陶瓷的导热性能,同时添加5 wt%Y2O3和1 wt%Ce O2的AlN粉末在预压30 min、烧结温度1900℃、烧结压力40 MPa、氮气气氛、保温保压2 h的条件下,得到了热导率性能最佳的AlN陶瓷,其相对密度96.15%、热导率207.8 W·m-1·K-1。