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半导体中的缺陷在很大程度上决定了半导体器件的电学和光学特性.器件的失效通常是与材料表面和界面存在的缺陷密切相关的.因此,鉴别和表征半导体中的缺陷及其对材料和器件性能的影响是一项有重要意义的课题.该文利用正电子湮没方法研究了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的缺陷特,包括缺陷的种类、大小、电荷态、缺陷与杂质的相互作用、负离子缺陷以及形变引入的缺陷特性等.