本文利用中频脉冲磁控溅射技术,以掺杂Al 2wt%的Zn:Al合金靶为靶材,研究了用于硅薄膜太阳电池的ZnO:Al（ZAO）透明导电薄膜,主要完成了以下几方面的工作:1、本实验使用的是美国AE公司的中频脉冲电源,采用中频脉冲磁控溅射的方法,首先在玻璃衬底上制备平面透明导电薄膜。研究了衬底温度、溅射功率、工作压力等沉积条件对平面ZAO薄膜电学、光学、以及结构性能的影响。结果表明:随着衬底温度（截至到220℃）的升高,溅射功率的增大,工作压力的降低,薄膜电特性得到明显改善。在实验和分析的基础上确定了制备平面ZAO薄膜的最优化工艺条件:衬底温度为220℃,溅射功率为160W,工作压力为292.6mPa。制备出的ZAO薄膜的方块电阻为6Ω,电阻率为3.0×10^-4Ωcm,载流子浓度为6.95×10²⁰/cm³,霍尔迁移率为83.8cm²/V·s,可见光范围内的平均透过率大于85%。2、将制备的平面ZAO薄膜在一定浓度的稀HCl中浸泡一定时间,去掉薄膜表面结合不紧密的部分,获得具有陷光结构的绒面ZAO薄膜。研究了衬底温度、溅射功率、工作压力、溶液浓度以及腐蚀时间对绒面ZAO薄膜表面形貌的影响。结果表明:随着衬底温度的增加,溅射功率的减小,工作压力的降低,薄膜的绒面效果得到明显改善。在实验和分析的基础上确定了制备绒面ZAO薄膜的最优化工艺条件:衬底温度为250℃,溅射功率为80W,工作压力为292.6mP,腐蚀溶液浓度为0.5%,腐蚀时间为20s。