多孔硅和碳化硅都是良好的硅基发光材料，在半导体光电材料中都有很大的应用。由于硅晶体本身并不发光，而碳化硅又是良好的硅基蓝光发射材料，且多孔硅的光致发光其波长覆盖了几乎从紫外到红外所有的区域，所以本文通过在多孔硅的蓝光发射区域复合碳化硅薄膜，来获得硅基材料上的高效蓝光发射。　　 本论文采用的是脉冲激光的方法在多孔硅衬底上淀积薄膜。首先在自制的双电解池结构的电解槽中通过电化学腐蚀的方法得到多孔硅，并采用日本岛津 荧光分光计对所得的样品进行光致发光谱测量，同时对不同电流密度和不同层结构的多孔硅光致发光谱也进行了测量，得出腐蚀电流密度越大的多孔硅的发光强度越强，层数越多的多孔硅光致发光强度也越强；其后再利用脉冲激光的方法在多孔硅结构上沉积薄膜。对沉积后的多孔硅/碳化硅体系样品再进行光致发光谱的测量，得出沉积后的多孔硅/碳化硅体系发光强度比单纯的多孔硅发光强度要强；随着在制备多孔硅样品时电流密度的增大，得到的多孔硅/碳化硅薄膜体系的378nm处的紫外发射逐渐受到抑制，而蓝光发射逐渐增强；利用电阻率为的硅片制备出的多孔硅/碳化硅体系的蓝光发射强度比电阻率为的硅片制备出的多孔硅/碳化硅体系强。