BaTiO3基半导体陶瓷细晶化及低温烧结特性的研究

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随着科学技术的飞速发展,电子元器件的微型化、多功能化及片式化已成为当今电子技术发展的主流,热敏电阻作为电子元器件中不可缺少的一份子,其片式化也势在必行。而制备多层片式PTCR热敏元件主要难题是制备细晶陶瓷和降低陶瓷的烧结温度以实现陶瓷层和电极间的共烧。本文以制备叠层片式PTCR热敏元件为最终目标,主要研究了为得到细晶陶瓷而进行的纳米粉体的制备技术以及PTCR陶瓷的低温烧结技术。本文采用不同的方法制备了纳米BaTiO3粉体,系统研究了水热法制备纳米BaTiO3粉体中反应温度、时间、反应前驱物浓度和钡钛比对粉体性能的影响。发现随反应温度和时间的增加,粉体粒径增大,当前驱物Ba/Ti=2时,反应温度为160℃,时间为2h,可得到产品粒径为32nm,Ba/Ti=0.9520的纯净的钙钛矿结构的BaTiO3粉体。而采用溶胶-凝胶法也合成了粒径为100-200nm的结晶度良好BaTiO3粉体。分别研究了共沉淀包覆掺杂法和化学混合掺杂法对PTCR陶瓷的性能的影响,发现采用共沉淀包覆掺杂法能使掺杂元素在陶瓷中分布更为均匀,从而得到微观结构均一的陶瓷。当Y(NO3)3掺杂浓度为0.3 mol%并在1250℃保温1h时烧结,样品的室温电阻率为37.8Ω·cm,升阻比为4.8个数量级,电阻-温度系数α为56%。用两步烧结法控制晶粒尺寸,在1250℃保温5min得到了样品晶粒尺寸为1-2μm,室温电阻率为46.8Ω·cm,升阻比为3.5个数量级。为降低BaTiO3基PTCR陶瓷的烧结温度,提出了在陶瓷中添加BaO-B2O3-SiO2-MnCl2-LiF烧结助剂的方法。研究了该烧结助剂中LiF对BaTiO3基PTCR陶瓷微观结构和电性能的影响。实验结果表明:加入0.05 mol LiF的BBSML2烧结助剂可使陶瓷在低温烧结过程中产生充分的液相,在1050℃烧结得到样品的室温电阻率为151Ω·cm,升阻比为5.6х103
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