重费米子材料NdFe2Ga8的物性研究以及其他材料的单晶生长

来源 :中国科学院大学(中国科学院物理研究所) | 被引量 : 0次 | 上传用户:bleachss
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本文主要介绍重费米子材料NdFe2Ga8的单晶生长、磁性和输运性质的测试研究,并且简要介绍了晶体的生长方法。采用Ga做助熔剂,成功生长出NdFe2Ga8单晶。其具有与CeFe2Al8相同的正交结构,空间群是Pbam(No.55)。由于样品对沿着c轴方向的磁场比垂直于c轴方向磁场的响应更加敏感,暗示了晶体中存在很强的磁各向异性。磁性测量表明样品在TN=14.7 K处发生反铁磁相变。电阻率数据在高温下展现了典型的金属行为,但是在16.5 K左右出现了急剧上升行为。对于H//c并且磁场H=70kOe时,从2.07 K到15 K区间内电阻率随着温度呈现了线性行为,展示了明显的非费米液体行为,并且低于6 K时比热随着logT展现了线性的行为,表明接近量子临界点。在2 K时,电子比热系数γ达到650 mJ/mol-K2,表明其是一个重费米子化合物。简要介绍了晶体生长的方法并且成功生长出一些单晶材料:通过助熔剂法成功生长Sr2Pb3、CuIr2S4、BiCuSeO、EuIn2As2和EuIn2P2等;通过化学气相传输法成功生长α-RuCl3和CrI3单晶材料。
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