射频LDMOS器件由于其高耐压、高增益、实现工艺简单等优点，被广泛应用于移动通讯、雷达系统等领域。如今射频LDMOS器件已经发展到第八代，设计者们通过不断优化器件工艺和结构来提高器件性能，由于国内设计水平还无法达到国际水平，因此，开展射频LDMOS器件的自主研制具有重大意义。本论文旨在完成高压LDMOS射频功率晶体管结构设计及实验研究。特点在于提出了双屏蔽环trench sinker LDMOS器件结构及工艺流程。采用挖槽、金属淀积和刻蚀形成trench sinker结构，将源极和衬底电极相连接。有效降低了器件的版图面积，提高器件的功率密度，同时也降低了工艺过程的热预算；双层屏蔽环结构采用金属硅化物淀积和刻蚀工艺形成，两层shield不但可以优化器件表面电场还可以将栅漏之间的寄生电容反馈到源极，降低栅漏寄生电容，从而提高器件增益，改善高频性能。采用Silvaco软件对LDMOS器件工艺流程和器件结构进行优化，并对器件的自热效应和热载流子效应进行了仿真，验证了自热效应和热载流子效应对器件阈值电压、导通电阻等性能的影响，由于本文中所设计的器件已经对导通电阻和表面电场进行了优化，所以该器件结构可以有效降低自热效应和热载流子效应对器件性能的影响。对器件的ESD结构和版图结构进行设计，依托合作单位上海华虹NEC公司的0.35m工艺线进行流片实验，器件的实验测试结果显示，所设计的射频LDMOS器件的截止频率大于为5GHz、击穿电压为97V，满足器件设计要求。