在传统体硅技术中，随着器件特征尺寸的减小，器件内部以及器件之间通过衬底的相互作用变得越来越严重，随之产生的一些寄生效应严重地影响了器件的性能。绝缘体上的硅（SOI: Silicon-on-Insulator）技术通过全介质隔离具有许多体硅材料无法比拟的优势，这使其广泛地应用于空间、军事等领域。本文对SOI器件的总剂量辐射效应进行了研究，得到了SOI器件辐照的物理模型。本文首先介绍了SOI器件的基本特性，并分析了SOI器件受到辐照之后特性退化的基本物理机制。其次，本文对几组0.8m工艺的SOI PMOS器件用60Co射线源进行总剂量辐照实验，得到了器件辐照前后的前栅、背栅阈值电压曲线以及亚阈值曲线。通过对不同栅氧化层厚度以及沟道长度器件的特性的比较，得到了SOI器件总剂量辐照特性的物理模型。辐照后特性的退化趋势受器件栅氧化层厚度及沟道长度的影响与这些物理模型取得了很好的吻合。最后，通过ISE TCAD软件模拟按照实验样品的参数进行模型的建立，并进行总剂量辐射的仿真。仿真中辐照后的特性变化趋势与实验结果有一些差异，经过分析这可能是由于实验样品中薄栅与厚栅器件的工艺差异所造成的。