双大马士革工艺的诞生将集成电路带入了铜互连时代,Co、Ru因其本身更优的物理化学特性,成为了14nm以下技术节点铜互连体系的新型阻挡层材料,BTA因其对铜优良的抗蚀特性被广泛应用于多层铜布线CMP抛光液,使CMP工艺能够实现铜互连层与阻挡层的整体平坦化。而BTA在铜线条表面的吸附成膜极为牢靠,CMP后BTA在晶圆表面仍有大量残留,是CMP后清洗的主要去除对象之一。而Ru在酸性清洗环境中易汽化为有毒的RuO₄,污染超净环境,且铜钴在酸性环境中的电偶腐蚀极为严重,因此针对BTA去除适用于新型阻挡层应用的新型碱性清洗液的研究成为当前IC制造领域的重点。本文分析介绍了BTA的成膜吸附机理,采用接触角检测、电化学检测、红外光谱检测三种方法对BTA残留进行表征,并通过实验标定了Cu（II）-BTA的标准特征红外光谱图,确定Cu（II）-BTA的标准特征红外吸收峰的位置分布,使红外检测可以成为清洗后BTA残留的一种定性或半定量的表征方法。本文研究了不同碱和pH值的变化对BTA去除的影响,以及不同活性剂和浓度的变化对BTA及颗粒去除的影响,分析了有机胺碱与无机碱、阴离子表面活性剂与非离子表面活性剂在后清洗过程中各自的效用规律与作用机理,确定了新型碱性清洗剂的组份方案,并通过CMP后实际清洗效果和铜钴电偶腐蚀的检测,最终确定质量分数200ppm的FA/O II型螯合剂、500ppm的十二烷基苯磺酸与作为pH调节剂的微量氢氧化铯组成的pH为10.35的新型碱性清洗液能有效去除BTA及颗粒且铜钴电偶腐蚀抑制能力较强,适用于新型阻挡层CMP后清洗。