面发射分布反馈半导体激光器的关键技术研究

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面发射分布反馈半导体激光器是一种通过采用F-P腔进行激光增益振荡并借助二阶光栅一级衍射实现表面出光的高功率、高光束质量、窄线宽、低温漂的半导体激光器。制备工艺简单、工作性能优良且稳定等优点使其在激光雷达、激光探测、信息处理、激光工业加工等众多领域具有广阔的应用前景。本文主要对面发射分布反馈半导体激光器结构设计及工艺制备过程中涉及的关键技术进行了研究。1.对面发射分布反馈半导体激光器的国内外发展现状进行了调研及全面分析,并就其进一步工作内容做出了讨论和展望。2.对面发射分布反馈激光器出光口的设计及制备提出了两种具体的可行方案,并就其方案结构进行了设计、优化及分析。两种方案结构(单层氧化铪增透膜和亚波长抗反射光栅)均满足器件的应用要求(透射率>99.4%)。3.对面发射分布反馈激光器实现垂直出光功能的内部关键结构——二阶衍射光栅进行了初步计算及制作,获得周期分别为300nm和450nm,脊高分别为185nm和200nm的光栅并摸索出完整的制作工艺步骤。4.探索研究了外腔各元件(内谐振腔输出端面、分光板以及光栅)对复合外腔半导体激光器阈值增益的影响。结合对复合外腔的整体分析,探究了复合外腔激光器进一步优化的可能。
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