IGBT作为电力电子领域的常用开关器件,主要应用领域是中高频开关设备,随着工作频率的提升,由于寄生电感的存在,器件的开关损耗变大,通过优化IGBT驱动电路的设计来降低IGBT器件功耗是IGBT应用领域的核心技术之一。本文基于对IGBT器件的基本工作原理和开关损耗产生原因的分析,归纳了IGBT驱动技术的基本要求,提出了一种适用于中高频IGBT器件的驱动器设计方案,通过闭环反馈控制回路动态调整IGBT的驱动电流,减少器件的开关损耗。论文主要工作有:介绍了IGBT器件的基本结构和电学特性,详细分析了IGBT开关过程中的器件参数变化,结合器件开关损耗产生机理,得到IGBT驱动电路的主要参数要求。以IGBT驱动要求及参数指标为基础,降低IGBT器件瞬态功耗为目的,通过减少驱动电流充放电时间与输入输出信号延时等方法,设计了基于CMOS工艺的IGBT驱动电路,包括输入接口电路、电平转换电路、驱动单元电路和输出信号反馈回路等功能模块。最后通过Cadence Virtuoso对设计的IGBT驱动电路进行详细的仿真验证,并进行了实际流片验证,测试结果证明了驱动设计方案在降低IGBT器件损耗方面的可行性。