VX Sgr 43GHzSiO脉泽的高分辨率谱线观测研究

来源 :中国科学院研究生院 中国科学院大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gnaixug
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本篇论文讨论了利用美国国立射电天文台的甚长基线干涉阵(VLBA)对恒星SiO脉泽的观测和研究。   天体脉泽是一种极端的非热平衡现象。富氧的主序后星周围经常存在OH,H2O,SiO脉泽。由于激发SiO脉泽需要更高的温度所以它们比其它两种脉泽更加靠近恒星表面。谱线VLBI技术是研究脉泽空间分布和动力学的最好工具。高分辨率的SiO脉泽成图提供了近恒星表面的详细信息。到目前为止,已经做了许多SiO脉泽多条谱线的伺时观测,并且呈现了许多有趣的结果。在本篇论文中我们介绍了SiO脉泽研究的最新进展和数据处理过程,以及我们的观测结果。   我们对VX Sagittarii(VX Sgr)28SiO J=1-0(υ=1,2),29SiO J=1-0(υ=0)在约两年内利用VLBA做了5个历元的观测。观测结果显示29SiO J=1-0(υ=0)脉泽太弱无法成图。28SiO脉泽则呈现了一个环状结构,其半径约3个恒星半径,与先前的结果相似。υ=1,228SiO脉泽的相对位置随时间发生了改变。在前两个历元,υ=1脉泽主要分布在南部和北部,而υ=2脉泽则呈环状分布。在第3个历元,两种脉泽均呈现出了环状结构,但是υ=1脉泽更靠近恒星表面,此时辐射抽运可能占主导。在后两个历元,υ=1,2比较强的脉泽斑主要出现在东面的内部区域,并显示了几乎相同的形状和位置。这种现象可能与外向流引起的碰撞抽运机制有关。同时这两种脉泽变得越来越致密,它们的谱形也变得越来越相似。这两种脉泽相对位置和谱形的演化可能都反映了抽运机制的改变。   另外,我们还讨论了脉泽的动力学。在前两个历元,脉泽壳层存在旋转倾向,但在后3个历元这个倾向则不那么明显。外向流可能破坏了这个倾向,并影响了脉泽的抽运机制。
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