无线通信是当今社会的重要组成部分，随着技术发展，传统射频频带资源接近饱和，而无线通信传输信息量却日益增加，无线通信系统要求传输速度越来越快。毫米波频段可以提供非常丰富的频率资源，让数据实现更高速的传输，近年来，无线通信技术已逐渐在毫米波频段拓展。在毫米波无线收发机中，毫米波开关用于发射通路和接受通路信号的选择，其插入损耗、隔离度、功率容量等性能对整个系统的噪声系数和输出功率有很大的影响，因此，对毫米波开关进行研究具有一定的现实意义。　　本文介绍了毫米波开关国内外的历史和发展研究状况，介绍了毫米波集成电路中常用器件。无源器件中分析了电阻电容的等效电路，有源器件中着重介绍了膺配高电子迁移率晶体管(pHEMT)的大小信号模型，同时讨论了开关设计中的常用结构，对各种结构开关的优缺点进行了比较，介绍了开关的主要性能指标，在此基础上，采用0.1um GaAs工艺肖特基二极管设计了毫米波单刀双掷、单刀四掷开关，在片测试显示，单刀双掷开关在33GHz以下，插损小于2.1dB，隔离度大于23dB，单刀四掷开关，插损小于2.8dB，隔离度大于26dB。同时在0.18umCMOS SOI工艺上设计了集成控制模块的单刀双掷微波开关，在9GHz以下，开关插损小于1.7dB，隔离度大于28.5dB，开启时间为1.06us。　　为了优化毫米波开关的隔离度，本文提出了采用低噪声放大器和Lange耦合器组成模块构成具有新型毫米波开关。采用源退化共源极四级级联结构，在0.15um GaAs pHEMT工艺上设计了Ka波段的低噪声放大器，同时设计了中心频点在30GHz的Lange耦合器，并将两个低噪声放大器的输入使用Lange耦合器级联整体作为毫米波开关模块。最后给出了整个模块的电磁场仿真结果。