【摘 要】
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近些年来高分子记忆存储材料因为其良好的机械性能,加工性能,多变的化学结构,逐渐成为人们关注的热点。与传统的无机存储材料的半导体性质不同,高分子材料通过双稳态实现数据的存储。当外加电场达到某一值时,高分子材料会由低导通态向高导通态发生突变,即发生了开关效应,此时外场电压为开关电压。高分子材料的低导通态相当于半导体材料中的“0”信号,高导通态相当于“1”信号。聚酰亚胺因为其优良的综合性能成为了高分子存
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近些年来高分子记忆存储材料因为其良好的机械性能,加工性能,多变的化学结构,逐渐成为人们关注的热点。与传统的无机存储材料的半导体性质不同,高分子材料通过双稳态实现数据的存储。当外加电场达到某一值时,高分子材料会由低导通态向高导通态发生突变,即发生了开关效应,此时外场电压为开关电压。高分子材料的低导通态相当于半导体材料中的“0”信号,高导通态相当于“1”信号。聚酰亚胺因为其优良的综合性能成为了高分子存储材料中的一个重要分支。目前人们研究的聚酰亚胺存储材料通过在其分子链中引入电性能官能团来实现他的存储性能
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