在托卡马克中,等离子体大破裂时所感生的环向电场,会持续加速速度超过某一临界值的热电子而使之成为逃逸电子。通常,这些逃逸电子的能量能够达到几十甚至几百兆eV,它们会对装置第一壁造成严重损伤,因此,托卡马克中等离子体大破裂期间逃逸电子行为的研究成为了国内外聚变领域的重要课题之一。本文主要模拟研究托卡马克大破裂期间逃逸电子产生与扩散的行为。整个工作以HL-2A第15335次放电的实验参数为模拟参数,所用模型耦合了逃逸电子初级机制产生率方程、次级机制产生率方程、或由磁扰动引起的扩散项以及麦克斯韦方程组。首先,在不考虑磁扰动的情况下我们模拟并从理论上分析了HL-2A托卡马克大破裂期间环形效应和有效离子电荷数对逃逸电子产生的影响。结果表明：环形效应,包括电导率的新经典修正和次级机制产生率方程的修正,对逃逸电子影响较小。对结果的理论分析也得出：随着有效离子电荷数的增加(由注入的或破裂时逃逸电子与器壁碰撞所溅射出的杂质的增加导致)产生的逃逸电子数目也会增多,进而使得欧姆电流转化为逃逸电流的几率增加。其次,我们考虑磁扰动对HL-2A托卡马克大破裂期间逃逸电子的影响,即在逃逸电子产生率方程中加入由磁扰动引起的扩散项。模拟结果显示：磁扰动的强度足够大时,可以“抑制”逃逸电子的产生；当考虑不同持续时间的磁扰动时,发现持续时间较长的磁扰动,也能够起到“抑制”逃逸电子产生的作用。综上可以得出：高强度、长时间持续的磁扰动可以抑制逃逸电子产生。此外,我们对比研究了有磁扰动和没有磁扰动时,逃逸电子密度的时空分布。研究发现,在磁扰动作用下逃逸电子密度径向分布向外扩展,对径向积分后得出逃逸电流增大。同时,对比HL-2A和JET托卡马克实验中环向电场的时空分布,可发现HL-2A的环向电场没有出现如JET中所产生的中空现象。